IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有M...
它是一种N沟道场效应管(绝缘栅型)晶体管,参数如下:极性:N沟道;漏极电流( Id)最大值: 10A (at 25℃)电压,(Vg...
IGBT全称是:绝缘栅双极型场效应晶体管,它是一种场效应管。它具有驱动简单,输入阻抗高,速度快等特点 识别:场效应管的种类很多,IGBT其实是BJT和MOSFET的复合,...
IGBT管是有MOS管(场效应管)和双极型达林顿管结合而成。普通的场效应管仅需微弱的驱动电压即可工作,但工作在高电压和大电流状态时,因为内阻较大,管子发热很快...
IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特性 是电力控...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 兼有MOSFE...
不是,场效应管是MOSFET,而IGBT是MOSFET和GTR(大功率晶体管)复合而成的器件.栅极是MOSFET,而C,E极是GTR.IGBT兼具二者的优点:驱动象MOSFET一样容易,开关速度可达几十...
广义的讲,IGBT也可以说是三极管,是一种特殊的三极管。1.IGBT的基本结构:绝缘栅双极晶体管(IGBT)本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型...
- MOSFET:MOSFET是一种场效应晶体管,它基于场效应原理工作。它有一个金属栅极、绝缘氧化物层和半导体材料。MOSFET适用于低电压和高频率应用。- IGBT:IGBT是一种...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)管,即绝缘栅双极型晶体管,是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件。其结合了MOSFET和BJT的优点,具有驱动功率小、...
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